Inhalt

Neue Wide Bandgap (WBG)-Materialien wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid ermöglichen es als Leistungs-Halbleiter, sehr effizient elektrische Energie in der E-Mobilität, in PV-Wechselrichtern oder Netzteilen umzuwandeln. Die Entwicklung neuer Halbleiter-materialien wird vor allem durch die Anwendungen getrieben. Das Kooperations-Seminar WBG-Halbleiter gibt einen Einblick in die komplexen Zusammenhänge zwischen der Herstellung der Leistungs-Halbleitermaterialien und den Anwendungs-eigenschaften in leistungselektronischen Systemen. Nanotech-nologisches Grundverständnis ist bei Herstellung und Charak-terisierung von Halbleitern von entscheidender Bedeutung für die resultierenden Eigenschaften und die Qualität.

Ziele der Veranstaltung:
• Information über die komplexen Zusammenhänge zwischen Herstellprozessen und resultierenden anwendungsrelevanten Eigenschaften
• Grundlegendes Verständnis zur Nanotechnologie und Charakterisierungsverfahren
• Vernetzung von Personen unterschiedlicher Fachdisziplinen und Branchen

Zielgruppe

Alle Personen, die mehr über die technischen Prozesse und Wechselwirkungen entlang der Wertschöpfungskette moderner Leistungs-Halbleiter erfahren wollen.
Insbesondere Entwickler und Anwender, aber auch Vertrieb, Produktmanagement usw.