BMBF-Förderprogramm "LES": Entwicklung von Zwei-Schicht dotierten GaN-Substraten und vertikalen Hoch-Volt-Transistoren (ZweiGaN)

Projektvolumen:
2,4 Mio. € (davon 85% Förderanteil durch BMBF)

Projektkoordinator:
Namlab gGmbH

Projektpartner:

• Freiberger Compound Materials GmbH
• Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen
• Hochschule für Technik und Wirtschaft Dresden
   

Projektinhalt:
Ziele und Vorgehen
Ziel des Projektes ZweiGaN ist die Entwicklung eines Herstellungsprozesses für speziell dotierte und defektarme GaN-Wafer. Dazu werden die notwendigen Grundlagen für deren Herstellung erarbeitet und das spezielle Beschichtungsverfahren, die Hydridgasphasenepitaxie, entsprechend angepasst. Darauf aufbauend werden unterschiedliche, innovative Konzepte für GaN-basierte Transistoren umgesetzt und getestet. Die Ergebnisse dieser Untersuchungen werden genutzt, um die GaN-Waferherstellung kontinuierlich zu optimieren.