Forschungsprojekte, Herstellverfahren
Datum: 01/09/2017 - 31/08/2020
Projektvolumen:
3,67 Mio. € (60% Förderanteil durch BMBF)
Projektkoordinator:
Siemens AG, Berlin
Projektpartner:
Projektinhalt:
In der Elektronik sind Hochleistungsschaltelemente wesentlich für die Effizienz von Umrichtern und Steuerelementen verantwortlich. Dies gilt auch für Systeme in den Bereichen Elektromobilität und regenerative Energien. Ziel des Projektes ist es, mittels einer neuen Anlagen- und Prozessplattform die Systemintegration von Leistungshalbleitermodulen deutlich zu verbessern. In solchen Modulen werden die Halbleiterchips durch sogenannte Bonddrähte kontaktiert. Diese stellen derzeit eine wesentliche Schwachstelle des Gesamtsystems dar, da sie nur begrenzt haltbar sind und es zu Kontaktverlusten kommen kann. Der innovative Kern des Vorhabens ist ein laserbasiertes Bondverfahren, welches langlebigere Verbindungen mit größerer Stromfestigkeit ermöglicht und so neue, robustere Modulgenerationen mit höherer Leistungsfähigkeit ermöglicht.
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